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首页 全部分类 FDD3672 vs FDD86326

FDD3672备选型号: FDD86326

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDD3672
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    6.5A Ta 44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    28MOhm
    100V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    44A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    135W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 250μA
    1710pF @ 25V
    36nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    44 ns
    44A
    4V
    TO-252AA
    20V
    6.5A
    100V
    100V
    4 V
    2.39mm
    6.73mm
    5.59mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86326
    ON Semiconductor
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 37 A, 23 mO
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    8A Ta 37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    62W
    DRAIN
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 50V
    19nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2.9 ns
    42A
    3.1V
    -
    20V
    8A
    80V
    -
    3.1 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin (Sn)
    40A
    无
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