Infineon Technologies IRFR2607ZPBF
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IRFR2607ZPBF
1211-IRFR2607ZPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
--最小包装量--
IRFR2607ZPBF详情
Infineon Technologies IRFR2607ZPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
42A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
110W Tc
Turn Off Delay Time
39 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2002
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
22MOhm
电压 - 额定直流
75V
额定电流
42A
元素配置
Single
功率耗散
110W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1440pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
上升时间
59ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
42A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
双电源电压
75V
栅源电压
2 V
高度
2.2606mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IRFR2607ZPBF拓展信息
Infineon Technologies
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