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首页 全部分类 FDD4N60NZ vs FDD5N60NZTM

FDD4N60NZ备选型号: FDD5N60NZTM

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FDD4N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    3.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    114W
    DRAIN
    12.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 1.7A, 10V
    5V @ 250μA
    510pF @ 25V
    10.8nC @ 10V
    15.1ns
    ±25V
    12.8 ns
    3.4A
    TO-252AA
    25V
    600V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5N60NZTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Channel 600V 4A
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    13nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    TO-252AA
    25V
    600V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2Ohm
    4A
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