FDD4N60NZ备选型号: STD4NK60ZT4
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON3.4A Tc5V @ 250μA2017-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET-II™e3yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET114WDRAIN12.7 nsN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 1.7A, 10V510pF @ 25V10.8nC @ 10V15.1ns±25V12.8 ns3.4ATO-252AA25V600V6.22mm2.39mm6.73mmnot_compliantROHS3 Compliant无铅--------
- Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON4A Tc4.5V @ 50μA-150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™e3-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET70W-12 nsN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 2A, 10V510pF @ 25V26nC @ 10V9.5ns±30V16.5 ns4ATO-252AA30V600V6.2mm2.4mm6.6mm无SVHCROHS3 Compliant无铅Tin2Ohm600V4ASTD4N2.3V4A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FDD5N50NZFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FDD5N60NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Channel 600V 4A | 对比 |




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