FDD5680备选型号: AUIRFR3806
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-Ch PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON8.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9921mOhmTin (Sn)60V鸥翼38AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET60WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING21m Ω @ 8.5A, 10V4V @ 250μA1835pF @ 30V46nC @ 10V9ns±20V16 ns8.5A20V60V无ROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 60V 43A DPAK-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET71WDRAIN6.3 nsN-ChannelSWITCHING15.8m Ω @ 25A, 10V4V @ 50μA1150pF @ 50V30nC @ 10V40ns±20V47 ns43A20V60V无ROHS3 Compliant无铅Tin2011HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE2VTO-252AA2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFR3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | 对比 |
![]() | IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | 对比 |
![]() | FDD26AN06A0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3 | 对比 |



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