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首页 全部分类 FDD5680 vs FDD26AN06A0-F085

FDD5680备选型号: FDD26AN06A0-F085

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDD5680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    8.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    21mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    38A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 8.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1835pF @ 30V
    46nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    16 ns
    8.5A
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD26AN06A0-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    27 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    7A Ta 36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 36A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 25V
    17nC @ 10V
    72ns
    ±20V
    35 ns
    36A
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-252AA
    7A
    0.026Ohm
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