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首页 全部分类 FDD5810-F085 vs NTD3055-150T4

FDD5810-F085备选型号: NTD3055-150T4

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  • 端子表面处理
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDD5810-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    7.7A
    TO-252AA
    20V
    7.4A
    0.022Ohm
    60V
    45 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD3055-150T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    28.8W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    280pF @ 25V
    15nC @ 10V
    37.1ns
    ±20V
    23 ns
    9A
    -
    20V
    9A
    0.15Ohm
    60V
    30 mJ
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    2007
    EAR99
    60V
    240
    not_compliant
    9A
    30
    3
    不合格
    27A
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