FDD6030L备选型号: FDD6637
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON12A Ta 50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.2WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING14.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1230pF @ 15V28nC @ 5V7ns±20V12 ns50A20V30V无ROHS3 Compliant---------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDD6637 - Power MOSFET, P Channel, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Surface MountACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON13A Ta 55A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET1.3WDRAIN18 nsP-ChannelSWITCHING11.6m Ω @ 14A, 10V3V @ 250μA2370pF @ 20V63nC @ 10V10ns±25V36 ns-13A25V-35V无ROHS3 Compliant2017e311.6MOhmTin (Sn)135V-1.6V55A150°C-1.6 V2.517mm6.73mm6.22mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD6612A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK | 对比 |
![]() | IPD127N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FDD6637 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR - FDD6637 - Power MOSFET, P Channel, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | 对比 |




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