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首页 全部分类 FDD6030L vs IPD127N06LGBTMA1

FDD6030L备选型号: IPD127N06LGBTMA1

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  • 晶体管应用
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDD6030L
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    12A Ta 50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.5m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1230pF @ 15V
    28nC @ 5V
    7ns
    ±20V
    12 ns
    50A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD127N06LGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    39 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    12.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 80μA
    2300pF @ 30V
    69nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    2011
    e3
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    TO-252AA
    50A
    0.0127Ohm
    200A
    60V
    240 mJ
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