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首页 全部分类 FDD6N50FTM vs STD6NK50ZT4

FDD6N50FTM备选型号: STD6NK50ZT4

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 引脚数量
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD6N50FTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.15Ohm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    FDD6N50
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.15 Ω @ 2.75A, 10V
    5V @ 250μA
    960pF @ 25V
    19.8nC @ 10V
    28.3ns
    ±30V
    20.5 ns
    5.5A
    TO-252AA
    30V
    500V
    22A
    270 mJ
    9.5 pF
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    5.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    STD6N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    690pF @ 25V
    24.6nC @ 10V
    23.5ns
    ±30V
    23 ns
    5.6A
    -
    30V
    500V
    22.4A
    -
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    500V
    260
    5.6A
    30
    3
    3.75V
    3.75 V
    无SVHC
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