ON Semiconductor FDD8N50NZTM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UniFET-II™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

防静电

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 3.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

735pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.85Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

287 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant