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FDD6N50TM备选型号: STD8NM60ND
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 引脚数量
- 阈值电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLEACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™2016e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99900mOhmTin (Sn)鸥翼FDD6N50R-PSSO-G2Single增强型MOSFET89WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING900m Ω @ 3A, 10V5V @ 250μA9400pF @ 25V16.6nC @ 10V55ns±30V35 ns6A30V6A500V24A270 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅-----
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON7A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ II-e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99700mOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼STD8NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET70WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING700m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA560pF @ 50V22nC @ 10V22ns±30V22 ns7A30V7A600V28A200 mJ---无ROHS3 Compliant无铅26034V4 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD6N50FTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK | 对比 |
 | STD10NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| STD8NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
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