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首页 全部分类 FDD8444L vs FDD6688

FDD8444L备选型号: FDD6688

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD8444L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16A Ta 50A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    153W
    DRAIN
    18.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 50A, 10V
    5530pF @ 25V
    60nC @ 5V
    46ns
    ±20V
    19.2 ns
    50A
    20V
    16A
    0.0065Ohm
    40V
    295 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6688
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    3V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 18A, 10V
    3845pF @ 15V
    56nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    36 ns
    84A
    20V
    -
    0.005Ohm
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    3
    260.37mg
    yes
    30V
    84A
    无铅
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