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首页 全部分类 FDD8444L vs IPD50N04S308ATMA1

FDD8444L备选型号: IPD50N04S308ATMA1

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  • 辐射硬化
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  • 已出版
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD8444L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16A Ta 50A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    153W
    DRAIN
    18.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 50A, 10V
    5530pF @ 25V
    60nC @ 5V
    46ns
    ±20V
    19.2 ns
    50A
    20V
    16A
    0.0065Ohm
    40V
    295 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S308ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    50A Tc
    4V @ 40μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    7.5m Ω @ 50A, 10V
    2350pF @ 25V
    35nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    20V
    -
    0.0075Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    26 Weeks
    2007
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    200A
    not_compliant
    含铅
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