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首页 全部分类 FDD8453LZ-F085 vs IRFR4104TRPBF

FDD8453LZ-F085备选型号: IRFR4104TRPBF

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  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD8453LZ-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    FDD8453
    Single
    增强型MOSFET
    118W
    N-Channel
    6.7m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    3515pF @ 20V
    64nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    20V
    75A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4104TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    N-Channel
    5.5m Ω @ 42A, 10V
    4V @ 250μA
    2950pF @ 25V
    89nC @ 10V
    69ns
    ±20V
    36 ns
    42A
    20V
    -
    40V
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    2003
    e3
    2
    EAR99
    5.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    鸥翼
    260
    42A
    30
    R-PSSO-G2
    DRAIN
    17 ns
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    480A
    42 ns
    1.778mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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