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首页 全部分类 FDD8453LZ-F085 vs IRLR3114ZPBF

FDD8453LZ-F085备选型号: IRLR3114ZPBF

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  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD8453LZ-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    FDD8453
    Single
    增强型MOSFET
    118W
    N-Channel
    6.7m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    3515pF @ 20V
    64nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    20V
    75A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR3114ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    -
    140W
    N-Channel
    4.9m Ω @ 42A, 10V
    2.5V @ 100μA
    3810pF @ 25V
    56nC @ 4.5V
    140ns
    ±16V
    50 ns
    130A
    16V
    -
    40V
    ROHS3 Compliant
    3
    2007
    EAR99
    4.9MOhm
    25 ns
    2.5V
    45 ns
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 对比
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