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FDD86252备选型号: FDD5690
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 双电源电压
- 栅源电压
MOSFET N-CH 150V 5A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON5A Ta 27A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.1WDRAIN8.3 nsN-ChannelSWITCHING52m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA985pF @ 75V16nC @ 10V1.8ns±20V3 ns5A3.1V20V5A0.052Ohm150V72 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 60V 30A D-PAKACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON30A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET50WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1110pF @ 25V32nC @ 10V9ns±20V10 ns30A2.5V20V--60V90 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT27MOhm60V30A60V2.5 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 对比 |
 | FDD8424H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
| FDD5690 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK | 对比 |
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