FDD86252备选型号: STD6NF10T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 150V 5A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON5A Ta 27A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.1WDRAIN8.3 nsN-ChannelSWITCHING52m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA985pF @ 75V16nC @ 10V1.8ns±20V3 ns5A3.1V20V5A0.052Ohm150V72 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 100V 6A DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON6A Tc-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™-e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET30WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA280pF @ 25V14nC @ 10V10ns±20V3 ns3A4V20V6A-100V200 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅250mOhm低阈值100V2606A30STD6N3TO-252AA24A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | 对比 |
![]() | FDD8424H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
![]() | FDD5690 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK | 对比 |





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