FDD86367-F085备选型号: IPD053N08N3GATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)47 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63260.37mg10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)260not_compliant未说明1Single227W20 nsN-Channel4.2m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA4840pF @ 40V88nC @ 10V±20V100A20V80V175°C2.517mmROHS3 Compliant-------------------
- Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R-18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™-yes活跃1 (Unlimited)-未说明-未说明--150W18 nsN-Channel5.3m Ω @ 90A, 10V3.5V @ 90μA4750pF @ 40V69nC @ 10V±20V90A20V---ROHS3 Compliant3SILICON20082EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素66ns10 nsTO-252AA80V190 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD90N08S405ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
![]() | FDD86567-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 100A DPAK | 对比 |
![]() | DMTH6004SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK | 对比 |






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