ON Semiconductor FDD86567-F085

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

38 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

MKT-TO252A03REV11

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

227W Tj

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

227W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4950pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

82nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

115 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant