ON Semiconductor FDD86367-F085
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FDD86367-F085
1807-FDD86367-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,
--最小包装量--
FDD86367-F085详情
ON Semiconductor FDD86367-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
47 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
质量
260.37mg
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
227W Tj
Turn Off Delay Time
36 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
227W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4840pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
80V
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
2.517mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDD86367-F085拓展信息
ON Semiconductor
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