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首页 全部分类 FDD86380-F085 vs IPD50N08S413ATMA1

FDD86380-F085备选型号: IPD50N08S413ATMA1

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 无卤素
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDD86380-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    13.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 40V
    30nC @ 10V
    80V
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N08S413ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 50A
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    13.2m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 33μA
    1711pF @ 25V
    30nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2013
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    72W
    DRAIN
    无卤素
    20V
    80V
    200A
    76 mJ
    含铅
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