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首页 全部分类 FDD8780 vs FDD8586

FDD8780备选型号: FDD8586

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDD8780
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8.5MOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    25V
    鸥翼
    35A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1440pF @ 13V
    29nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    24 ns
    35A
    1.8V
    TO-252AA
    20V
    60A
    25V
    224A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8586
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    5.5MOhm
    -
    -
    20V
    -
    35A
    -
    Single
    -
    77W
    -
    -
    N-Channel
    -
    5.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2480pF @ 10V
    48nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    25 ns
    35A
    1.6V
    -
    20V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SMD/SMT
    20V
    1.6 V
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