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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.753303
10
¥4.484251
100
¥4.230422
500
¥3.990965
1000
¥3.76506
ON Semiconductor FDD8586
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- 对比
FDD8586
1807-FDD8586
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
--最小包装量--
¥
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FDD8586详情
ON Semiconductor FDD8586重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
77W Tc
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
5.5MOhm
电压 - 额定直流
20V
额定电流
35A
元素配置
Single
功率耗散
77W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2480pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
栅源电压
1.6 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDD8586拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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