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首页 全部分类 FDD8874 vs FDD6688

FDD8874备选型号: FDD6688

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDD8874
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    260.37mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    175°C
    -55°C
    30V
    110W
    鸥翼
    116A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    96ns
    30V
    N-CHANNEL
    37 ns
    116A
    TO-252AA
    20V
    30V
    2.99nF
    240 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.1mOhm
    5.1 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6688
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    84A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    30V
    -
    鸥翼
    84A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    13ns
    -
    -
    36 ns
    84A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    PowerTrench®
    Tin (Sn)
    N-Channel
    5m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    3845pF @ 15V
    56nC @ 10V
    ±20V
    0.005Ohm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD6688 FDD6688 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench 对比