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首页 全部分类 FDD8876 vs IRLR8726PBF

FDD8876备选型号: IRLR8726PBF

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD8876
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    15A Ta 73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    鸥翼
    73A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    47nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    37 ns
    73A
    TO-252AA
    20V
    30V
    95 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    75W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    ±20V
    16 ns
    86A
    -
    20V
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    SMD/SMT
    5.8MOhm
    1.8V
    30V
    36 ns
    1.8 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
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