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首页 全部分类 FDFM2P110 vs IRLMS1902TRPBF

FDFM2P110备选型号: IRLMS1902TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDFM2P110
    ON Semiconductor
    Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.5 A, 140 mO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    9mg
    SILICON
    20V
    1.5V @ 250μA
    PowerTrench®
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    140MOhm
    Nickel/Palladium (Ni/Pd)
    -20V
    DUAL
    -3.5A
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 3.5A, 4.5V
    280pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    12ns
    ±12V
    3.2 ns
    3.5A
    MO-229WEEA
    12V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    750μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS1902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    -
    SILICON
    1
    700mV @ 250μA
    HEXFET®
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    3.2A
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 4.5V
    300pF @ 15V
    7nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    4 ns
    3.2A
    -
    12V
    20V
    -
    1.143mm
    1.75mm
    2.9972mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    R-PDSO-G6
    700mV
    700 mV
    无SVHC
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