ON Semiconductor FDFM2N111

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium (Ni/Pd)

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

额定电流

4A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

273pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 4.5V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

高度

750μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅