您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDFMA2P853 vs FDMA1027P

FDFMA2P853备选型号: FDMA1027P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管技术
  • ON Semiconductor
    FDFMA2P853
    ON Semiconductor
    MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    40mg
    SILICON
    2V
    1.3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    120MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 3A, 4.5V
    435pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    11ns
    ±8V
    11 ns
    3A
    MO-229VCCC
    8V
    2.2A
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA1027P
    ON Semiconductor
    MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    40mg
    SILICON
    3A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    9 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    120m Ω @ 3A, 4.5V
    435pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    11ns
    -
    11 ns
    2.2A
    -
    8V
    -
    -20V
    逻辑电平门
    750μm
    2mm
    2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    800mW
    无铅
    未说明
    未说明
    不合格
    1.3V @ 250μA
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMA1027P FDMA1027P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-VDFN Exposed Pad MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH 对比
FDFMJ2P023Z FDFMJ2P023Z ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-WFDFN Exposed Pad MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP 对比