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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.83739
10
¥4.563575
100
¥4.305253
500
¥4.061563
1000
¥3.831667
ON Semiconductor FDFMJ2P023Z
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- 对比
FDFMJ2P023Z
1807-FDFMJ2P023Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WFDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDFMJ2P023Z详情
ON Semiconductor FDFMJ2P023Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WFDFN Exposed Pad
引脚数
6
供应商器件包装
SC-75, MicroFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Ta
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
112mOhm @ 2.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.5nC @ 4.5V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
2.9A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
输入电容
400pF
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
112mOhm
最大rds
112 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FDFMJ2P023Z拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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