ON Semiconductor FDMA1027P
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FDMA1027P
1807-FDMA1027P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VDFN Exposed Pad
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MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH
--最小包装量--
FDMA1027P详情
ON Semiconductor FDMA1027P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
40mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
800mW
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
2.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMA1027P拓展信息










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