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首页 全部分类 FDFMA2P853T vs FDMJ1023PZ

FDFMA2P853T备选型号: FDMJ1023PZ

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 最大功率耗散
  • ON Semiconductor
    FDFMA2P853T
    ON Semiconductor
    MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    1.4W
    9 ns
    P-Channel
    120m Ω @ 3A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    435pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    11ns
    ±8V
    11 ns
    3A
    8V
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMJ1023PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
    表面贴装
    表面贴装
    6-WFDFN Exposed Pad
    75
    2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Dual
    1.4W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    112m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1V @ 250μA
    400pF @ 10V
    6.5nC @ 4.5V
    4ns
    -
    4 ns
    -2.9A
    8V
    20V
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    29mg
    700mW
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FDMJ1023PZ FDMJ1023PZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-WFDFN Exposed Pad MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 对比