您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDFS2P102 vs IRF7101TRPBF

FDFS2P102备选型号: IRF7101TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 额定功率
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDFS2P102
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -3.3A
    2W
    P-Channel
    125m Ω @ 3.3A, 10V
    2V @ 250μA
    270pF @ 10V
    10nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    7 ns
    3.3A
    -1.4V
    20V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7101TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    20V
    3.5A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    320pF @ 15V
    15nC @ 10V
    10ns
    -
    30 ns
    3.5A
    3V
    12V
    20V
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    2W
    鸥翼
    IRF7101PBF
    6.3 mm
    Dual
    增强型MOSFET
    7 ns
    SWITCHING
    14A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7101TRPBF IRF7101TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 对比
MMDF3N02HDR2G MMDF3N02HDR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC 对比
MMDF3N02HDR2 MMDF3N02HDR2 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC 对比