ON Semiconductor MMDF3N02HDR2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

雪崩能量等级（Eas）

405 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅