FDFS2P102备选型号: NDS9947
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率 - 最大
- MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000Obsolete1 (Unlimited)-20V-3.3A2WP-Channel125m Ω @ 3.3A, 10V2V @ 250μA270pF @ 10V10nC @ 10V7ns±20V7 ns3.3A-1.4V20V-20VSchottky Diode (Isolated)无SVHC符合RoHS标准无铅-----
- MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)-20V-3.5A2W2 P-Channel (Dual)100m Ω @ 3.5A, 10V3V @ 250μA542pF @ 10V13nC @ 10V13ns-9 ns-3.5A-20V-20V逻辑电平门-符合RoHS标准-187mgPowerTrench®900mWDual900mW
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 对比 |
| MMDF3N02HDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 对比 | |
| MMDF3N02HDR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 对比 |



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