FDFS2P753Z备选型号: FDS6961A
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- 工厂交货时间
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 正向电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 场效应管技术
- 栅源电压
- MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOICCONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 days ago)27 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99115MOhmTin (Sn)-30VDUAL鸥翼-3ASingle增强型MOSFET1.6mW7 ns2mAP-Channel115m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA455pF @ 10V9.3nC @ 10V31ns30V±25V31 ns3A-2.1V25V3A-30V6 mJSchottky Diode (Isolated)1.575mm4.9mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9990mOhmTin (Sn)30V-鸥翼3.5ADual增强型MOSFET2W3 ns-2 N-Channel (Dual)90m Ω @ 3.5A, 10V3V @ 250μA220pF @ 15V4nC @ 5V11ns--3 ns3.5A1.8V20V-30V-逻辑电平门1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2W900mWSWITCHINGMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.8 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7326D2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |



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