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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.290633
10
¥11.594939
100
¥10.938619
500
¥10.319451
1000
¥9.735331
Infineon Technologies IRF7326D2TRPBF
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- 对比
IRF7326D2TRPBF
1211-IRF7326D2TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
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IRF7326D2TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7326D2TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-30V
额定电流
-3.6A
功率耗散
2W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
440pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-3.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
输入电容
440pF
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
160mOhm
最大rds
100 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7326D2TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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