ON Semiconductor FDFS2P753Z

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

27 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

115MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-3A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6mW

接通延迟时间

7 ns

正向电流

2mA

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

115m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

455pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 10V

上升时间

31ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

-2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-30V

雪崩能量等级（Eas）

6 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

高度

1.575mm

长度

4.9mm

宽度

3.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅