FDG311N备选型号: DMN2112SN-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 漏极-源极导通最大电阻
- 双电源电压
- Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-70 T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363628mgSILICON1.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2000e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9920VDUAL鸥翼1.9ASingle增强型MOSFET750mW5 nsN-ChannelSWITCHING115m Ω @ 1.9A, 4.5V1.5V @ 250μA270pF @ 10V4.5nC @ 4.5V9ns±8V9 ns1.9A900mV8V20V900 mV1mm2mm1.25mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23-19 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mgSILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET500mW10 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 500mA, 4.5V1.2V @ 1mA220pF @ 10V-15ns±8V65 ns1.2A1.2V8V20V1.2 V1.3mm3.1mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant-SMD/SMTMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY26040310.25Ohm20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mO | 对比 |
![]() | DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | 对比 |
![]() | FDG326P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | 对比 |




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