FDG361N备选型号: CPH3362-TL-W

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    6
    SC-88 (SC-70-6)
    600mA Ta
    2001
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100V
    600mA
    420mW
    N-Channel
    500mOhm @ 600mA, 10V
    4V @ 250μA
    153pF @ 50V
    5nC @ 10V
    4ns
    100V
    ±20V
    4 ns
    600mA
    20V
    100V
    153pF
    370mOhm
    500 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    P-Channel Power MOSFET, -100V, -0.7A, 1.7O
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    -
    -
    700mA Ta
    2017
    -
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    1W
    P-Channel
    1.7 Ω @ 700mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    142pF @ 20V
    3.7nC @ 10V
    3.4ns
    100V
    ±20V
    12 ns
    -700mA
    20V
    -100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    Tin
    e6
    yes
    EAR99
    not_compliant
    Single
    1
    3.9 ns
    0.7A
    150°C
    1.05mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK 对比