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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.070514
10
¥4.783509
100
¥4.512742
500
¥4.257302
1000
¥4.016322
ON Semiconductor FDG361N
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- 对比
FDG361N
1807-FDG361N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDG361N详情
ON Semiconductor FDG361N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
600mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Turn Off Delay Time
11 ns
Power Dissipation (Max)
420mW Ta
已出版
2001
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
100V
额定电流
600mA
功率耗散
420mW
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
500mOhm @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
153pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 10V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
600mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
153pF
漏源电阻
370mOhm
最大rds
500 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDG361N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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