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首页 全部分类 FDH44N50 vs FCH35N60

FDH44N50备选型号: FCH35N60

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  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDH44N50
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    120mOhm
    Tin (Sn)
    500V
    44A
    Single
    增强型MOSFET
    750W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    5335pF @ 25V
    108nC @ 10V
    84ns
    ±30V
    79 ns
    44A
    3.15V
    30V
    500V
    500V
    3.15 V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH35N60
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    312.5W
    -
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    98m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    6640pF @ 25V
    181nC @ 10V
    120ns
    ±30V
    73 ns
    35A
    3V
    30V
    600V
    -
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SuperMOS™
    0.098Ohm
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