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首页 全部分类 FDH50N50 vs IPW65R099C6FKSA1

FDH50N50备选型号: IPW65R099C6FKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDH50N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    500V
    未说明
    48A
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    625W
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 24A, 10V
    5V @ 250μA
    6460pF @ 25V
    137nC @ 10V
    360ns
    ±30V
    230 ns
    48A
    TO-247AB
    20V
    500V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R099C6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    38A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    -
    未说明
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    278W
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 12.8A, 10V
    3.5V @ 1.2mA
    2780pF @ 100V
    127nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    6 ns
    38A
    -
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    10.6 ns
    650V
    0.099Ohm
    845 mJ
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FDH44N50 FDH44N50 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube 对比
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