Infineon Technologies IPW65R099C6FKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

278W Tc

Turn Off Delay Time

77 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

278W

接通延迟时间

10.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

99m Ω @ 12.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2780pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

127nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.099Ohm

雪崩能量等级（Eas）

845 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅