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首页 全部分类 FDI9406-F085 vs STI270N4F3

FDI9406-F085备选型号: STI270N4F3

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDI9406-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    通孔
    3
    2.084g
    SILICON
    4V @ 250μA
    50 ns
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    176W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 80A, 10V
    7710pF @ 25V
    138nC @ 10V
    48ns
    ±20V
    20 ns
    110A
    TO-262AB
    20V
    0.0022Ohm
    40V
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI270N4F3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    通孔
    4
    -
    SILICON
    4V @ 250μA
    10V
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 80A, 10V
    7400pF @ 25V
    150nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    45 ns
    80A
    -
    20V
    0.0026Ohm
    40V
    ROHS3 Compliant
    无
    12 Weeks
    EAR99
    STI270N
    4V
    10.4mm
    10.75mm
    4.6mm
    无SVHC
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