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首页 全部分类 FDMA0104 vs DMN2013UFDE-7

FDMA0104备选型号: DMN2013UFDE-7

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMA0104
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    6-MicroFET (2x2)
    30mg
    9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    700mW
    9 ns
    N-Channel
    14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1680pF @ 10V
    17.5nC @ 4.5V
    6ns
    20V
    6 ns
    9.4A
    8V
    20V
    1.68nF
    14.5mOhm
    14.5 mΩ
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2013UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    -
    -
    10.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    9.9 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    2453pF @ 10V
    25.8nC @ 8V
    24.5ns
    20V
    20.8 ns
    10.5A
    8V
    -
    -
    -
    -
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    SILICON
    e4
    yes
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    260
    40
    6
    S-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±8V
    20V
    无SVHC
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 对比