FDMA0104备选型号: DMN2016UTS-13
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 质量
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 20V Single NCh PowerTrench表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad66-MicroFET (2x2)30mg9.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle700mW9 nsN-Channel14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V1V @ 250μA1680pF @ 10V17.5nC @ 4.5V6ns20V6 ns9.4A8V20V1.68nF14.5mOhm14.5 mΩ750μm2mm2mm无符合RoHS标准-----------------
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)8-157.991892mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2009活跃1 (Unlimited)--Dual880mW10.39 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain14.5m Ω @ 9.4A, 4.5V1V @ 250μA1495pF @ 10V16.5nC @ 4.5V11.66ns20V16.27 ns8.58A8V20V---1.025mm4.5mm3.1mm无ROHS3 Compliant16 WeeksSILICONe38EAR9914.5mOhmMatte Tin (Sn)880mW鸥翼DMN2016U8增强型MOSFETSWITCHINGMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | 对比 |



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