Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

质量

157.991892mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

59.38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

14.5mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

880mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

DMN2016U

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

880mW

接通延迟时间

10.39 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.5m Ω @ 9.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1495pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5nC @ 4.5V

上升时间

11.66ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

16.27 ns

连续放电电流(ID)

8.58A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.025mm

长度

4.5mm

宽度

3.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅