FDMA1028NZ备选型号: FDFMA2N028Z
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- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- Vgs(最大值)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad640mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009e4yes活跃1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9968MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)20V1.4W3.7ADual增强型MOSFET1.4WDRAIN8 ns700mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING68m Ω @ 3.7A, 4.5V1.5V @ 250μA340pF @ 10V6nC @ 4.5V8ns8 ns3.7A1V12V20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V750μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKYACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad660mgSILICON3.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e4yes活跃1 (Unlimited)6-EAR9968MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)20V-3.7ASingle增强型MOSFET1.4WDRAIN8 ns-N-ChannelSWITCHING68m Ω @ 3.7A, 4.5V1.5V @ 250μA455pF @ 10V6nC @ 4.5V8ns8 ns3.7A1V12V20V--Schottky Diode (Isolated)-750μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅DUAL±12V90 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDFMA2N028Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY | 对比 | |
![]() | DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 | 对比 |
![]() | ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | 对比 |




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