FDMA3023PZ备选型号: FDMA3027PZ
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad640mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR9990MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.4WDual增强型MOSFET1.4WDRAIN5 ns700mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING90m Ω @ 2.9A, 4.5V1V @ 250μA530pF @ 15V11nC @ 4.5V4ns30V4 ns2.9A-600mV8V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-600 mV750μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- ON SEMICONDUCTOR - FDMA3027PZ - MOSFET, P-CH, DUAL, 30V/25V, 6MLPACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad640mgSILICON17 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.4WDual增强型MOSFET1.4WDRAIN5.2 ns700mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING87m Ω @ 3.3A, 10V3V @ 250μA435pF @ 15V10nC @ 10V3ns30V11 ns3.3A-1.9V25V-30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-725μm2mm2mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅无铅未说明未说明0.087Ohm80 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | IRF7606TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 | 对比 |
![]() | DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |





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